絕緣介質損耗介電常數(shù)測試儀
型 號GDAT-A
更新時間2024-11-21
廠商性質生產廠家
報價
產品概述
絕緣介質損耗介電常數(shù)測試儀特點：
◎ 本公司創(chuàng)新的自動Q值保持技術，使測Q分辨率至0.1Q，使tanδ分辨率至0.00005 。
◎ 能對固體絕緣材料在10kHz～120MHz介質損耗角(tanδ)和介電常數(shù)(ε)變化的測試。
◎ 調諧回路殘余電感值低至8nH，保證100MHz的(tanδ)和(ε)的誤差較小。
◎ 特制LCD屏菜單式顯示多參數(shù)：Q值，測試頻率，調諧狀態(tài)等。
◎ Q值量程自動/手動量程控制。
◎ DPLL合成發(fā)生1kHz～60MHz, 50kHz～160MHz測試信號。獨立信號 源輸出口，所以本機又是一臺合成信號源。
◎ 測試裝置符合國標GB/T 1409-2006,美標ASTM D150以及IEC60250規(guī)范要求。
絕緣介質損耗介電常數(shù)測試儀工作頻率范圍是10kHz～120MHz,它能完成工作頻率內材料的高頻介質損耗角(tanδ)和介電常數(shù)(ε)變化的測試。
本儀器中測試裝置是由平板電容器和測微圓筒線性電容器組成，平板電容器一般用來夾被測樣品，配用Q表作為指示儀器。
絕緣材料的損耗角正切值是通過被測樣品放入平板電容器和不放樣品的Q值變化和厚度的刻度讀數(shù)通過公式計算得到。
同樣，由測微圓筒線性電容器的電容量讀數(shù)變化，通過公式計算得到介電常數(shù)。
主要技術指標：
2.1 tanδ和ε性能：
2.1.1 固體絕緣材料測試頻率10kHz～120MHz的tanδ和ε變化的測試。
2.1.2 tanδ和ε測量范圍：
tanδ：0.1～0.00005，ε：1～50
2.1.3 tanδ和ε測量精度（1MHz）：
tanδ：±5%±0.00005，ε：±2%
工作頻率范圍：50kHz～50MHz 四位數(shù)顯，壓控振蕩器
Q值測量范圍：1～1000三位數(shù)顯，±1Q分辨率
可調電容范圍：40～500 pF ΔC±3pF
電容測量誤差：±1%±1pF
Q表殘余電感值：約20nH
裝置：
2.3.1 平板電容器極片尺寸：:Φ38mm和Φ50mm二種.
2.3.2 平板電容器間距可調范圍和分辨率：0～8mm， ±0.01mm
2.3.3 圓筒電容器線性： 0.33 pF /mm±0.05 pF,
2.3.4 圓筒電容器可調范圍：±12.5mm（±4.2pF）
2.3.5 裝置插頭間距：25mm±0.1mm
2.3.6 裝置損耗角正切值:≤2.5×10-4
工作特性
1．Q值測量
a．Q值測量范圍：2～1023；
b．Q值量程分檔：30、100、300、1000、自動換檔或手動換檔；
c．標稱誤差
A | C | |
頻率范圍 | 25kHz～10MHz | 100kHz～10MHz |
固有誤差 | ≤5％±滿度值的2% | ≤5％±滿度值的2% |
工作誤差 | ≤7％±滿度值的2% | ≤7％±滿度值的2% |
頻率范圍 | 10MHz～60MHz | 10MHz～160MHz |
固有誤差 | ≤6％±滿度值的2% | ≤6％±滿度值的2% |
工作誤差 | ≤8％±滿度值的2% | ≤8％±滿度值的2% |
2．電感測量范圍
A | C |
14.5nH～8.14H | 4.5nH～140mH |
3．電容測量
A | C | |
直接測量范圍 | 1～460p | 1～205p |
主電容調節(jié)范圍 | 40～500pF | 18～220pF |
準確度 | 150pF以下±1.5pF； 150pF以上±1% | 150pF以下±1.5pF 150pF以上±1% |
注：大于直接測量范圍的電容測量見使用方法。
4．信號源頻率覆蓋范圍
| A | C |
頻率范圍 | 10kHz～60MHz | 0.1～160MHz |
CH1 | 10～99.9999kHz | 0.1～0.999999MHz |
CH2 | 100～999.999kHz | 1～9.99999MHz |
CH3 | 1～9.99999MHz | 10～99.9999MHz |
CH4 | 10～60MHz | 100～160MHz |
頻率指示誤差 | 3×10-5±1個字 |
5．Q合格指示預置功能：預置范圍：5～1000
6．Q表正常工作條件
a. 環(huán)境溫度：0℃～+40℃；
b．相對濕度：<80％；
c．電源：220V±22V，50Hz±2.5Hz。
7．其他
a．消耗功率：約25W；
b．凈重：約7kg；
c.外型尺寸：（寬×高×深）mm：380×132×280。
